RQ1C075UNTR

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Especificaciones

Número de pieza

RQ1C075UNTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ1C075UNTR.pdf
2.RQ1C075UNTR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 7.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

RQ1C075UNCT
RQ1C075UNTRCT
RQ1C075UNTRCT-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 7.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

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