RQ1E070RPTR

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

$1.30

10+

$1.153

100+

$0.911

500+

$0.707

1000+

$0.558

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

RQ1E070RPTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ1E070RPTR.pdf
2.RQ1E070RPTR.pdf
3.RQ1E070RPTR.pdf
4.RQ1E070RPTR.pdf
5.RQ1E070RPTR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

550mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

RQ1E070RPCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

Los siguientes son productos relacionados con "RQ1E070RPTR".

IXFL70N60Q2

Descripción: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

RFQ

RQ1A070APTR

Descripción: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

FDS6680S

Descripción: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

FDM21-05QC

Descripción: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

RFQ

STW30NM60D

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Fabricantes: STMicroelectronics

Existencias disponibles

RFQ

SUP10250E-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

BUK6Y15-40PX

Descripción: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK

Fabricantes: Nexperia

Existencias disponibles

RFQ

RQ1E100XNTR

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

RQ1E050RPTR

Descripción: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

DMN21D2UFB-7B

Descripción: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

NTR4501NT1

Descripción: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

IXTA90N055T2

Descripción: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

RFQ

RQ1C065UNTR

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

RQ1A060ZPTR

Descripción: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

BUK9Y6R0-60E,115

Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK

Fabricantes: Nexperia

Existencias disponibles

RFQ

AOTF10N50FD_001

Descripción: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Existencias disponibles

RFQ

RQ1A070ZPTR

Descripción: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

RQ1C075UNTR

Descripción: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

2N7002WKX-13

Descripción: MOSFET N-CH 60V SOT323

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

STB100NH02LT4

Descripción: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

Existencias disponibles

RFQ

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Registro anticipado

RQ1E070RPTR

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Intel recibirá $ 7.86 mil millones en subsidios bajo la Le...

AMD lanza la construcción de la segunda fase del Bangalore...

La tarjeta gráfica NVIDIA RTX 5090 tiene un área de GPU d...

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

IXFL70N60Q2

RQ1A070APTR

FDS6680S

FDM21-05QC

STW30NM60D

SUP10250E-GE3

BUK6Y15-40PX

RQ1E100XNTR

RQ1E050RPTR

DMN21D2UFB-7B

NTR4501NT1

IXTA90N055T2

RQ1C065UNTR

RQ1A060ZPTR

BUK9Y6R0-60E,115

AOTF10N50FD_001

RQ1A070ZPTR

RQ1C075UNTR

2N7002WKX-13

STB100NH02LT4

Seleccione el idioma

Idioma actual