RQ6C050UNTR

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Especificaciones

Número de pieza

RQ6C050UNTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ6C050UNTR.pdf
2.RQ6C050UNTR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

RQ6C050UNDKR
RQ6C050UNTRDKR
RQ6C050UNTRDKR-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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