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982918Imagen RQ6C050BCTCRLAPIS Semiconductor

RQ6C050BCTCR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RQ6C050BCTCR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RQ6C050BCTCR.pdf
    2.RQ6C050BCTCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TSMT6 (SC-95)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    36 mOhm @ 5A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.25W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-95-6
  • Otros nombres
    RQ6C050BCTCRTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    5A (Tc)

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