RQ6E055BNTCR

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Especificaciones

Número de pieza

RQ6E055BNTCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ6E055BNTCR.pdf
2.RQ6E055BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

RQ6E055BNTCRTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

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