RQ6E085BNTCR

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Especificaciones

Número de pieza

RQ6E085BNTCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Existencias disponibles
Descripción

NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ6E085BNTCR.pdf
2.RQ6E085BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-457
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-74, SOT-457
Otros nombres

RQ6E085BNTCRTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Tc)

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