UMH1NTN

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Especificaciones

Número de pieza

UMH1NTN
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.UMH1NTN.pdf
2.UMH1NTN.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

UMT6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

UMH1NTN-ND
UMH1NTNTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

*MH1

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Los siguientes son productos relacionados con "UMH1NTN".

UMH3NFHATN

Descripción: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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