US6T9TR

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Especificaciones

Número de pieza

US6T9TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.US6T9TR.pdf
2.US6T9TR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA
Tipo de transistor

2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo

UMT6
Serie

-
Potencia - Max

400mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

320MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 30V 1A 320MHz 400mW Surface Mount UMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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