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MT47R128M8CF-3:H

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Especificaciones

Número de pieza

MT47R128M8CF-3:H
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MT47R128M8CF-3:H.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

1.55 V ~ 1.9 V
Tecnología

SDRAM - DDR2
Paquete del dispositivo

60-FBGA (8x10)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

60-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

1Gb (128M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (8x10)
Frecuencia de reloj

333MHz
Número de pieza base

MT47R128M8
Tiempo de acceso

450ps

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