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2298584Imagen MT47R256M4CF-25E:HMicron Technology

MT47R256M4CF-25E:H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47R256M4CF-25E:H
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.55 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Gb (256M x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • Frecuencia de reloj
    400MHz
  • Número de pieza base
    MT47R256M4
  • Tiempo de acceso
    400ps
MT47R64M16HR-3:H

MT47R64M16HR-3:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8JN-25E:G

MT47H64M8JN-25E:G

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8SH-25E IT:H

MT47H64M8SH-25E IT:H

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8SH-25E AAT:H

MT47H64M8SH-25E AAT:H

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47R256M4CF-3:H

MT47R256M4CF-3:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47R512M4EB-25E:C

MT47R512M4EB-25E:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47R128M8CF-25:H

MT47R128M8CF-25:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8SH-187E:H TR

MT47H64M8SH-187E:H TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT48H16M16LFBF-6 IT:H

MT48H16M16LFBF-6 IT:H

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47R64M16HR-25:H

MT47R64M16HR-25:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8SH-25E AIT:H

MT47H64M8SH-25E AIT:H

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT48H16M16LFBF-6:H

MT48H16M16LFBF-6:H

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M8JN-25E IT:G

MT47H64M8JN-25E IT:G

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47R256M8EB-25E:C

MT47R256M8EB-25E:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT48FN

MT48FN

Descripción: CONN PATCHBAY 48JACKS 1.75"

Fabricantes: Conxall / Switchcraft
Existencias disponibles
MT48FNX

MT48FNX

Descripción: CONN PATCHBAY 48JACKS 1.75"

Fabricantes: Conxall / Switchcraft
Existencias disponibles
MT47H64M8SH-25E:H

MT47H64M8SH-25E:H

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47R64M16HR-25E:H

MT47R64M16HR-25E:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47R128M8CF-3:H

MT47R128M8CF-3:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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