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2804975Imagen APT50GP60BGMicrosemi

APT50GP60BG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT50GP60BG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 100A 625W TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APT50GP60BG.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 50A
  • Condición de prueba
    400V, 50A, 5 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    19ns/83ns
  • Cambio de Energía
    465µJ (on), 637µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potencia - Max
    625W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    APT50GP60BGMI
    APT50GP60BGMI-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    PT
  • puerta de carga
    165nC
  • Descripción detallada
    IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    190A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100A

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