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6639019Imagen APT50GP60JDQ2Microsemi

APT50GP60JDQ2

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20+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT50GP60JDQ2
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 100A 329W SOT227
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APT50GP60JDQ2.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 50A
  • Paquete del dispositivo
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potencia - Max
    329W
  • Paquete / Cubierta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    5.7nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    PT
  • Descripción detallada
    IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP®
  • Corriente - corte del colector (Max)
    525µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100A
  • Configuración
    Single

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Descripción: IGBT 600V 150A 625W TMAX

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Descripción: IGBT 1200V 94A 625W TO247

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