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4943167Imagen APT50GR120JD30Microsemi

APT50GR120JD30

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT50GR120JD30
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 84A 417W SOT227
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APT50GR120JD30.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 50A
  • Paquete del dispositivo
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    417W
  • Paquete / Cubierta
    SOT-227-4
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    5.55nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • Descripción detallada
    IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1.1mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    84A
  • Configuración
    Single

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