APTC60HM70SCTG

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Especificaciones

Número de pieza

APTC60HM70SCTG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTC60HM70SCTG.pdf
2.APTC60HM70SCTG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 2.7mA
Paquete del dispositivo

SP4
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 39A, 10V
Potencia - Max

250W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP4
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

259nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

39A

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Los siguientes son productos relacionados con "APTC60HM70SCTG".

APTC60DSKM45T1G

Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

Fabricantes: Microsemi

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