APTCV60HM45BC20T3G

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Especificaciones

Número de pieza

APTCV60HM45BC20T3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTCV60HM45BC20T3G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

-
Potencia - Max

250W
Paquete / Cubierta

SP3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

3.15nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
Descripción detallada

IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
Corriente - corte del colector (Max)

250µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

50A
Configuración

Boost Chopper, Full Bridge

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APTCV60HM45RT3G

Descripción: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Fabricantes: Microsemi

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