APTGF50DH120TG

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Especificaciones

Número de pieza

APTGF50DH120TG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTGF50DH120TG.pdf
2.APTGF50DH120TG.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A
Paquete del dispositivo

SP4
Serie

-
Potencia - Max

312W
Paquete / Cubierta

SP4
Temperatura de funcionamiento

-
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

3.45nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT
Descripción detallada

IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4
Corriente - corte del colector (Max)

250µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

75A
Configuración

Asymmetrical Bridge

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APTGF50DDA120T3G

Descripción: IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3

Fabricantes: Microsemi

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