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Imagen APTGF50H60T2G

Microsemi

APTGF50H60T2G

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Especificaciones

Número de pieza

APTGF50H60T2G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTGF50H60T2G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

-
Potencia - Max

250W
Paquete / Cubierta

SP3
Temperatura de funcionamiento

-
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

2.2nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT
Descripción detallada

IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3
Corriente - corte del colector (Max)

250µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

65A
Configuración

Full Bridge Inverter

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