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APTGT150A60T1G

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Especificaciones

Número de pieza

APTGT150A60T1G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTGT150A60T1G.pdf
2.APTGT150A60T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

-
Potencia - Max

480W
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

9.2nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
Descripción detallada

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP1
Corriente - corte del colector (Max)

250µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

225A
Configuración

Half Bridge

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APTGT150DA60T1G

Descripción: IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1

Fabricantes: Microsemi

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