APTGT50DH60T1G

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Especificaciones

Número de pieza

APTGT50DH60T1G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOD IGBT 600V 80A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTGT50DH60T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

-
Potencia - Max

176W
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

3.15nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
Descripción detallada

IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
Corriente - corte del colector (Max)

250µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

80A
Configuración

Asymmetrical Bridge

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APTGT50DH120TG

Descripción: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Fabricantes: Microsemi

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