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1966452Imagen JAN1N5802USMicrosemi

JAN1N5802US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5802US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N5802US.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    975mV @ 2.5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    50V
  • Paquete del dispositivo
    D-5A
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, A
  • Otros nombres
    1086-2118
    1086-2118-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 50V 2.5A Surface Mount D-5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 50V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    2.5A
  • Capacitancia Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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Descripción: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

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