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JAN1N5806URS

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Especificaciones

Número de pieza

JAN1N5806URS
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JAN1N5806URS.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

875mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

150V
Paquete del dispositivo

A-MELF
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/477
Tiempo de recuperación inversa (trr)

25ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SQ-MELF, A
Otros nombres

1086-19435
1086-19435-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 150V 1A Surface Mount A-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 150V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

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JAN1N5806US

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi

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