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2SJ058200L

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Especificaciones

Número de pieza

2SJ058200L
Fabricante / Marca

Panasonic
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SJ058200L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

U-G2
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta), 10W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

2SJ058200LDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 20V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

P-Channel 200V 2A (Tc) 1W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount U-G2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

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2SJ053600L

Descripción: MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P

Fabricantes: Panasonic

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