2082406

2SJ360(F)

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Especificaciones

Número de pieza

2SJ360(F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.2SJ360(F).pdf
2.2SJ360(F).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PW-MINI
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

730 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.5nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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2SJ360(TE12L,F)

Descripción: MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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