Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-JFETs > DSK9J01P0L
RFQs/Orden (0)
español
español
1119181Imagen DSK9J01P0LPanasonic

DSK9J01P0L

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
3000+
$0.243
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    DSK9J01P0L
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DSK9J01P0L.pdf
  • Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id
    5V @ 10µA
  • Paquete del dispositivo
    SSMini3-F3-B
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    125mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-89, SOT-490
  • Otros nombres
    DSK9J01P0LTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    11 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    55V
  • Descripción detallada
    JFET N-Channel 30mA 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B
  • Consumo de corriente (Id) - Max
    30mA
  • Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0)
    1mA @ 10V
  • Número de pieza base
    DSK9J01

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "DSK9J01P0L".
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Descripción: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Fabricantes: Elna America
Existencias disponibles
RFQ
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Descripción: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Fabricantes: Panasonic
Existencias disponibles
RFQ
DSK10E

DSK10E

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Descripción: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Fabricantes: Elna America
Existencias disponibles
RFQ
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Descripción: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Fabricantes: Elna America
Existencias disponibles
RFQ
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Descripción: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Fabricantes: Elna America
Existencias disponibles
RFQ
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Descripción: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Fabricantes: Panasonic
Existencias disponibles
RFQ
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Descripción: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Fabricantes: Elna America
Existencias disponibles
RFQ
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
2N4859JAN02

2N4859JAN02

Descripción: JFET N-CH 30V 360MW TO-18

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
2N5461G

2N5461G

Descripción: JFET P-CH 40V 0.35W TO92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK10C

DSK10C

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK10B

DSK10B

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.