R6011ENJTL

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Especificaciones

Número de pieza

R6011ENJTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 11A LPT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.R6011ENJTL.pdf
2.R6011ENJTL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LPTS (D2PAK)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

390 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

R6011ENJTLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "R6011ENJTL".

R6011225XXYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

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