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5618512Imagen STTH810FPSTMicroelectronics

STTH810FP

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STTH810FP
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STTH810FP.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2V @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220FPAC
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    85ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • Otros nombres
    497-7609-5
    STTH810FP-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 8A Through Hole TO-220FPAC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    8A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    STTH810

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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