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6660516Imagen STTH810G-TRSTMicroelectronics

STTH810G-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STTH810G-TR
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STTH810G-TR.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    8A
  • Tensión - Desglose
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Digi-Reel®
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    497-8054-6
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    85ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    STTH810G-TR
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D2PAK
  • configuración de diodo
    5µA @ 1000V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    2V @ 8A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1000V (1kV)
  • Capacitancia Vr, F
    175°C (Max)

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27/09/2024
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