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549176Imagen STTH812GSTMicroelectronics

STTH812G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STTH812G
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STTH812G.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    8A
  • Tensión - Desglose
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tube
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    100ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Número de pieza del fabricante
    STTH812G
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D2PAK
  • configuración de diodo
    8µA @ 1200V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    2.2V @ 8A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Capacitancia Vr, F
    175°C (Max)

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27/09/2024
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