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5532455Imagen STTH812G-TRSTMicroelectronics

STTH812G-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STTH812G-TR
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STTH812G-TR.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.2V @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    D2PAK
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    100ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    497-5264-1
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1200V 8A Surface Mount D2PAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    8µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    8A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    STTH812

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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