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5187232Imagen 2SK4017(Q)Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4017(Q)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SK4017(Q)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.2SK4017(Q).pdf
    2.2SK4017(Q).pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PW-MOLD2
  • Serie
    U-MOSIII
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    100 mOhm @ 2.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    20W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Otros nombres
    2SK4017(Q)-ND
    2SK4017Q
    Q11923257
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    730pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Tc) Through Hole PW-MOLD2
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

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