2SK4017(Q)

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Especificaciones

Número de pieza

2SK4017(Q)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.2SK4017(Q).pdf
2.2SK4017(Q).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PW-MOLD2
Serie

U-MOSIII
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

20W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres

2SK4017(Q)-ND
2SK4017Q
Q11923257
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Tc) Through Hole PW-MOLD2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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