SSM3J331R,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3J331R,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3J331R,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23F
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

55 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-3 Flat Leads
Otros nombres

SSM3J331R,LF(B
SSM3J331R,LF(T
SSM3J331RLF
SSM3J331RLF(TTR
SSM3J331RLF(TTR-ND
SSM3J331RLFTR
SSM6J414TU,LF(A
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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SSM3J321T(TE85L,F)

Descripción: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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