SSM3J332R,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3J332R,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3J332R,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23F
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

42 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-3 Flat Leads
Otros nombres

SSM3J332R,LF(B
SSM3J332R,LF(T
SSM3J332RLF
SSM3J332RLF(TTR
SSM3J332RLF(TTR-ND
SSM3J332RLFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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SSM3J352F,LF

Descripción: X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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