SSM3J353F,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3J353F,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3J353F,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

S-Mini
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

150 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

600mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SSM3J353F,LF(B
SSM3J353F,LF(T
SSM3J353FLFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

159pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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SSM3J338R,LF

Descripción: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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