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447914Imagen SSM3J334R,LFToshiba Semiconductor and Storage

SSM3J334R,LF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM3J334R,LF
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SSM3J334R,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23F
  • Serie
    U-MOSVI
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    71 mOhm @ 3A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-3 Flat Leads
  • Otros nombres
    SSM3J334R,LF(B
    SSM3J334R,LF(T
    SSM3J334RLF
    SSM3J334RLFTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    5.9nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

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