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5463886Imagen SSM3J35CT,L3FToshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35CT,L3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM3J35CT,L3F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SSM3J35CT,L3F.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    CST3
  • Serie
    π-MOSVI
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8 Ohm @ 50mA, 4V
  • La disipación de energía (máximo)
    100mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-101, SOT-883
  • Otros nombres
    SSM3J35CTL3FCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    12.2pF @ 3V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

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