SSM3K15ACT,L3F

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K15ACT,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3K15ACT,L3F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CST3
Serie

U-MOSIII
RDS (Max) @Id, Vgs

3.6 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

100mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

SSM3K15ACT,L3F(B
SSM3K15ACT,L3F(T
SSM3K15ACTL3F(BTR
SSM3K15ACTL3F(BTR-ND
SSM3K15ACTL3FTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13.5pF @ 3V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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SSM3K15AFU,LF

Descripción:

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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