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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > SSM3K316T(TE85L,F)
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2722845Imagen SSM3K316T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K316T(TE85L,F)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM3K316T(TE85L,F)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 4A TSM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.SSM3K316T(TE85L,F).pdf
    2.SSM3K316T(TE85L,F).pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TSM
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    53 mOhm @ 3A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    700mW (Ta)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    SSM3K316T(T5LFT)DKR
    SSM3K316T(T5LFT)DKR-ND
    SSM3K316T(TE85LF)DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    270pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    4.3nC @ 4V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

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