SSM3K336R,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K336R,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3K336R,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23F
Serie

U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

95 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-3 Flat Leads
Otros nombres

SSM3K336R,LF(B
SSM3K336R,LF(T
SSM3K336RLF
SSM3K336RLFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

126pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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