SSM3K318R,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K318R,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3K318R,LF.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

235pF @ 30V
Tensión - Desglose

SOT-23F
VGS (th) (Max) @Id

107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

U-MOSIV
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5A (Ta)
Polarización

SOT-23-3 Flat Leads
Otros nombres

SSM3K318RLFCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Número de pieza del fabricante

SSM3K318R,LF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.8V @ 1mA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60V
relación de capacidades

1W (Ta)

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SSM3K310T(TE85L,F)

Descripción: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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