SSM3K318T,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K318T,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3K318T,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSM
Serie

U-MOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

107 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SSM3K318TLFDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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SSM3K301T(TE85L,F)

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Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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