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SSM6N357R,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6N357R,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6N357R,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Paquete del dispositivo

6-TSOP-F
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Potencia - Max

1.5W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Otros nombres

SSM6N357R,LF(B
SSM6N357RLFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.5nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 650mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

650mA (Ta)

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SSM6N35AFE,LF

Descripción: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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