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5627903Imagen SSM6N35AFE,LFToshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFE,LF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM6N35AFE,LF
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SSM6N35AFE,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 100µA
  • Paquete del dispositivo
    ES6
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
  • Potencia - Max
    250mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Otros nombres
    SSM6N35AFE,LF(B
    SSM6N35AFELF
    SSM6N35AFELF(B
    SSM6N35AFELF-ND
    SSM6N35AFELFTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    36pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.34nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate, 1.2V Drive
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

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