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Imagen SSM6N48FU,RF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6N48FU,RF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6N48FU,RF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 100µA
Paquete del dispositivo

US6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.2 Ohm @ 10mA, 4V
Potencia - Max

300mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

SSM6N48FURFDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15.1pF @ 3V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

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