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SSM6N43FU,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6N43FU,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6N43FU,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

US6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

630 mOhm @ 200mA, 5V
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

SSM6N43FU,LF(B
SSM6N43FU,LF(T
SSM6N43FU,LFT
SSM6N43FULFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.23nC @ 4V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 500mA 200mW Surface Mount US6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

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SSM6N58NU,LF

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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