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6207718Imagen SSM6N35FE,LMToshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35FE,LM

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM6N35FE,LM
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.SSM6N35FE,LM.pdf
    2.SSM6N35FE,LM.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Paquete del dispositivo
    ES6 (1.6x1.6)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3 Ohm @ 50mA, 4V
  • Potencia - Max
    150mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Otros nombres
    SSM6N35FE(TE85L,F)
    SSM6N35FE(TE85LF)TR
    SSM6N35FE(TE85LF)TR-ND
    SSM6N35FE,LM(B
    SSM6N35FE,LM(T
    SSM6N35FELMTR
    SSM6N35FETE85LF
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9.5pF @ 3V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    180mA
  • Número de pieza base
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