TK12E80W,S1X

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Especificaciones

Número de pieza

TK12E80W,S1X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK12E80W,S1X.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 570µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

450 mOhm @ 5.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

165W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

TK12E80W,S1X(S
TK12E80WS1X
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A (Ta)

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TK13A60D(STA4,Q,M)

Descripción: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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