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Imagen FDMA8878

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMA8878

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Especificaciones

Número de pieza

FDMA8878
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMA8878.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-MicroFET (2x2)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-VDFN Exposed Pad
Otros nombres

FDMA8878DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 9A (Ta), 10A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 10A (Tc)

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