FDMA8884

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Especificaciones

Número de pieza

FDMA8884
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMA8884.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-MicroFET (2x2)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 6.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.9W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-VDFN Exposed Pad
Otros nombres

FDMA8884-ND
FDMA8884TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta), 8A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMB3800N

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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