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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > FDMA905P_F130

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FDMA905P_F130

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Especificaciones

Número de pieza

FDMA905P_F130
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-MicroFET (2x2)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 10A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-VDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3405pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 6V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 10A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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