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Imagen NJVMJD117T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD117T4G

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Especificaciones

Número de pieza

NJVMJD117T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVMJD117T4G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A
Tipo de transistor

PNP - Darlington
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

-
Potencia - Max

1.75W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

25MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V
Corriente - corte del colector (Max)

20µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A
Número de pieza base

MJD117

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